藤平龙彦博士现出任富士电机株式会社电子器件开发首席技术执行官。他在功率半导体器件领域有超过30年的研究开发经历。例如IGBT，功率MOSFET，以及高压和高功率IC。他著有超过30篇论文，包括世间范围内第一次论及超结器件技术，并将其命名为超结(Superjunction）。 此外，他拥有超过100相发明专利，并获得过3相技术奖项。
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