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第八届半导体物理与器件国际研讨会(ICSPD 2024)

Posted on 2024年11月11日 By 会议培训时间表

第八届半导体物理与器件国际研讨会(ICSPD 2024)

第八届半导体物理与器件国际研讨会(ICSPD 2024)宣传图

第八届半导体物理与器件国际研讨会(The 8th Int'l Conference on Semiconductor Physics and Devices)将于2024年12月6-8日在中国三亚举办。该会议涵盖化合物半导体,新兴半导体技术,铁磁性/磁性半导体,有机半导体,光电和光伏器件,半导体物理学等所有相关议题。会议将集聚来自世界各地的科研人员、工程师、学者及业界专家,展示他们在半导体物理与器件相关领域的最新研究成果及活动进展。

三亚,(Sanya City)位于海南岛的最南端,是中国最南部的热带滨海旅游城市,全国空气质量最好的城市,全国最长寿地区(平均寿命80岁)。三亚市别称鹿城,又被称为“东方夏威夷”,位居中国四大一线旅游城市“三威杭厦”之首,它拥有全海南岛最美丽的海滨风光。东邻陵水县,西接乐东县,北毗保亭县,南临南海。陆地总面积1919.58平方公里,海域总面积6000平方公里,其中规划市区面积约37平方公里。东西长91.6公里,南北宽51公里,常住人口为53.6万人,聚居了汉、黎、苗、回等20多个民族。美丽的三亚市是中国通向世界的门户之一。三亚是海南省南部的中心城市和交通通信枢纽,也是中国东南沿海对外开放黄金海岸线上最南端的对外贸易重要口岸。

诚邀各位专家代表同聚三亚,共襄盛会!

出版物:所有被会议录用的英文稿件将会发表在开源期刊上。

注:1. 如果您只是参会作报告,不需要发表文章,您只需要将您的摘要提交到投稿系统。
2. 您可点击左上角注册按钮下方Template for Manuscripts下载全文投稿模板,按照此模板准备文章。全文篇幅建议15页左右(按照模板格式,带图和参考文献),超过20页需缴纳超页费。摘要投稿无格式要求,具备标题、内容、关键词、作者信息即可,篇幅建议控制在1页以内,最长不超过2页。
3. 投稿之后3-5个工作日内您会收到审核结果,如逾期未收到邮件通知,请您尽快联系我们。
4. 可投中文稿件,文章题目、摘要,关键词需要中英双语,正文部分为中文(可联系我们索取模板文档)。参会时口头报告/海报张贴必须做英文的。

第八届半导体物理与器件国际研讨会(ICSPD 2024)将于2024年12月6-8日在中国三亚举行。本次大会旨在为业内专家学者分享技术进步和业务经验,聚焦催化领域的前沿研究,提供一个交流的平台。

该会议征文涉及领域包括(但不限于):

Complex Oxides
Compound Semiconductors
Device Design and Fabrication
Device Performance and Reliability
Emerging Semiconductor Technologies
Ferromagnetism / Magnetic Semiconductors
High Magnetic Fields / High Pressure in Semiconductor Physics
Impurities/Defects in Semiconductors
Light Emitting Diodes (LEDs) and Diode Lasers
Novel Semiconductor Devices and Applications
Organic Semiconductors
Photoelectric and Photovoltaic Devices
Physics of Semiconductors
Photophysics & Transient Absorption Spectroscopy/Measurements
Surface and Interface Physics
Semiconductor Lower Dimensions and Nanostructures
Semiconductor Quantum Dots / Quantum Hall Effects / Quantum Information
Semiconductor Materials and Applications / Semiconductor Processing
Semiconductor Spintronics / Topological Insulators
Semiconductor Detectors
Wide/narrow Band-gap Semiconductors
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在线报名:https://www.huodongjia.com/event-27301437.html

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