Dr. Qingtai Zhao，1993年获得北京大学物理•博士学位；精通中文，英文和德文；1990 至1997年，任职于北京大学•微电子研究所•SOI材料和器件；1994 年至1997年任职于北京大学•微电子研究所；1997年至今任职于德国ForschungszentrumJülich•Halbleiter-Nanoelektronik（PGI-9）研究所。 Dr. Qingtai Zhao著有添加对不同温度退火时Ni锗硅化物层形成的影响、负电容作为隧道FET和MOSFET的性能增强器：实验研究、具有外延NiSi 2接触和掺杂分离的肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管的实验I-V和C-V分析、在低漏极电流下，平均阈值斜率为55mV / dec的硅隧道FET、陡坡晶体管组合相变和带 - 带隧道以实现亚单位身体因子、NiGeSn-GeSn接触中掺杂剂偏析的肖特基势垒调节等文章和研究论文。
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