SangBum Kim于2001年在韩国首尔首尔大学获得学士学位，并获得硕士和博士学位。2003年至2010年在斯坦福大学•电气工程系•纳米电子集团担任研究助理，2010年至今在IBM•科技•相变记忆研究担任研究人员。2005年和2010年，加州斯坦福大学斯坦福大学，电气工程学士学位。他的博士论文着重于相变存储器（PCM）的可扩展性和可靠性，包括缩放规则分析，锗纳米线二极管作为可扩展选择器件，热干扰，漂移和阈值切换。他目前是IBM TJ沃森研究中心的研究人员。他目前的研究兴趣包括PCM器件的表征和建模。 著有基于ALD的限制PCM与金属衬垫朝向无限耐力、新兴内存系统中模拟编码的机会、使用非易失性记忆的神经元计算、保留多层单元相变存储器程序评估度量、用于存储类存储器（SCM）应用的2位/单元相变存储器的新型自会聚写入方案等特色研究文章。
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